AP2617GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2617GY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2617GY
AP2617GY Datasheet (PDF)
ap2617gy.pdf

AP2617GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 38mD Surface Mount Device ID -6AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDDescriptionAP2617 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ach
ap2611gyt-hf.pdf

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d
ap2612gy-hf.pdf

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc
ap2611gy-hf.pdf

AP2611GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Small Package Outline RDS(ON) 500m Surface Mount Device ID - 1.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2611 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t
Другие MOSFET... AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , IRFZ24N , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY .
History: IRF1405ZLPBF | SIR468DP | 13N50L-TQ2-T | UT3404 | BSS84KW | AP9965GEH | SSW80R160SFD
History: IRF1405ZLPBF | SIR468DP | 13N50L-TQ2-T | UT3404 | BSS84KW | AP9965GEH | SSW80R160SFD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467