Справочник MOSFET. AP2617GY

 

AP2617GY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2617GY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.038 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2617GY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2617GY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:206K  ape
ap2617gy.pdfpdf_icon

AP2617GY

AP2617GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS -20VD Small Package Outline RDS(ON) 38mD Surface Mount Device ID -6AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDDescriptionAP2617 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to ach

 9.1. Size:56K  ape
ap2611gyt-hf.pdfpdf_icon

AP2617GY

AP2611GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS -20VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 9m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -15.4AGSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device d

 9.2. Size:96K  ape
ap2612gy-hf.pdfpdf_icon

AP2617GY

AP2612GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 35m Surface Mount Device ID 6AGD RoHS CompliantDSOT-26DescriptionAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniquesDto achieve the lowest possible on-resistanc

 9.3. Size:58K  ape
ap2611gy-hf.pdfpdf_icon

AP2617GY

AP2611GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS -100V Small Package Outline RDS(ON) 500m Surface Mount Device ID - 1.4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDDescriptionDAP2611 series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve t

Другие MOSFET... AP2318GEN , AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , IRFZ24N , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY .

History: IRF1405ZLPBF | SIR468DP | 13N50L-TQ2-T | UT3404 | BSS84KW | AP9965GEH | SSW80R160SFD

 

 
Back to Top

 


 
.