Справочник MOSFET. AP2N030EY

 

AP2N030EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2N030EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2N030EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N030EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  ape
 ap2n030ey.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N030EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 34mD Fast Switching Performance ID3 6.3AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26DDDescriptionAP2N030E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology

 6.1. Size:189K  ape
 ap2n030en.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N030ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 35m Fast Switching Performance ID 5.3AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2N030E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achiev

 9.1. Size:189K  ape
 ap2n075en.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N075ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP2N075E series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achiev

 9.2. Size:132K  ape
 ap2n050g.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N050GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP2N050 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , P60NF06 , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y .

History: PMN40ENE | PDM6UT20V08E | SM3407PSQA | UT8205AG-AG6-R | AM30N02-59D | SVF18N50F | RXH090N03

 

 
Back to Top

 


 
.