AP2N030EY - описание и поиск аналогов

 

AP2N030EY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP2N030EY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOT26

Аналог (замена) для AP2N030EY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N030EY даташит

 ..1. Size:210K  ape
 ap2n030ey.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N030EY Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET S Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 34m D Fast Switching Performance ID3 6.3A G D RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-26 D D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology

 6.1. Size:189K  ape
 ap2n030en.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N030EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 35m Fast Switching Performance ID 5.3A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N030E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.1. Size:189K  ape
 ap2n075en.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N075EN Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Lower Gate Charge RDS(ON) 75m Fast Switching Performance ID 3.5A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23S G D Description AP2N075E series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achiev

 9.2. Size:132K  ape
 ap2n050g.pdf pdf_icon

AP2N030EY

AP2N050G Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20V D Low Gate Charge RDS(ON) 50m Fast Switching Characteristic ID3 4A S RoHS Compliant & Halogen-Free D SOT-89 G Description D AP2N050 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2320GN , AP6N2K0EN , AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AO4407 , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y .

History: 2SK1445 | AP4407GM | AP2308GEN | AP1332GEU | 2SK2371 | CJL8205A | MMD80R1K2QZRH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.