Справочник MOSFET. AP3N028EY

 

AP3N028EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N028EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP3N028EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N028EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ape
 ap3n028ey.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N028EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge D RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 7AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-26DDescriptionAP3N028E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to ach

 6.1. Size:154K  ape
 ap3n028en.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N028ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 5.4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3N028E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve

 8.1. Size:202K  ape
 ap3n020p.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N020PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 23.3AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated designAP3N020series arefrom Advanced Power innovated de

 9.1. Size:151K  ape
 ap3n035n.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N035NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 35m Fast Switching Performance ID 4.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3N035 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP2308GEN , AP2318BEN , AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , 10N65 , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY .

History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
Back to Top

 


 
.