Справочник MOSFET. AP3N028EY

 

AP3N028EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N028EY
   Маркировка: Z01SS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N028EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ape
 ap3n028ey.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N028EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETS Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge D RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 7AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-26DDescriptionAP3N028E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to ach

 6.1. Size:154K  ape
 ap3n028en.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N028ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 28m Fast Switching Performance ID 5.4AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3N028E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve

 8.1. Size:202K  ape
 ap3n020p.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N020PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 20m Fast Switching Characteristic ID 23.3AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 seriesare fromAdvanced Power innovated designAP3N020series arefrom Advanced Power innovated de

 9.1. Size:151K  ape
 ap3n035n.pdf pdf_icon

AP3N028EY

AP3N035NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 1.8V Gate Drive BVDSS 30VD Lower Gate Charge RDS(ON) 35m Fast Switching Performance ID 4.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP3N035 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 2SK1067 | PSMN1R0-40YSH

 

 
Back to Top

 


 
.