Справочник MOSFET. AP2906EY

 

AP2906EY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2906EY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOT26
 

 Аналог (замена) для AP2906EY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2906EY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  ape
 ap2906ey.pdf pdf_icon

AP2906EY

AP2906EYHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETG2 Lower Gate Charge BVDSS 20VD1/D2G1 Capable of 2.5V Gate Drive RDS(ON) 35mS2 Surface mount package ID3 4.7AD1/D2S1SOT-26 RoHS Compliant & Halogen-FreeD1/D2DescriptionAP2906 series are from Advanced Power innovatedG1 G2design and silicon process

 9.1. Size:91K  ape
 ap2904ec4.pdf pdf_icon

AP2906EY

AP2904EC4Halogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive VSSS 24V Ultra-small Package Outline RSS(ON) 38m Protection Diode Built-in IS 6A RoHS Compliant & Halogen-FreeDescriptionAP2904 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest po

Другие MOSFET... AP15TP1R0Y , AP2604GY , AP2615GEY , AP2617GY , AP2N030EY , AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , P0903BDG , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , AP2535GEY , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU .

History: NTMFS5C456NL | P7006BL | FHD4N65E

 

 
Back to Top

 


 
.