AP2535GEY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP2535GEY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.13 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: SOT26
Аналог (замена) для AP2535GEY
AP2535GEY Datasheet (PDF)
ap2535gey.pdf

AP2535GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Capable of 1.8V Gate Drive N-CH BVDSS 20VS1 Lower Gate Charge RDS(ON) 32mD1 Fast Switching Performance ID 4.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1SOT-26RDS(ON) 80mDescription ID -3.1AAP2535 series are from Advanced Powe
ap2535gey-hf.pdf

AP2535GEY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Capable of 1.8V Gate Drive N-CH BVDSS 20VS1 Lower Gate Charge RDS(ON) 32mD1 Fast Switching Performance ID 4.6AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -20VG1SOT-26RDS(ON) 80mDescription ID -3.1AAP2535 series are from Advanced Powe
ap2530gy.pdf

AP2530GY-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge N-CH BVDSS 30VS1 Low On-resistance RDS(ON) 72mD1 Surface Mount Package ID 3.3AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-Free P-CH BVDSS -30VSOT-26 G1RDS(ON) 150mDescription ID -2.3AAP2530 series are from Advanced Power innovated desig
ap2531gy.pdf

AP2531GYRoHS-compliant ProductAdvanced Power N AND P-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Low Gate Charge Drive N-CH BVDSS 16VS1 Low On-resistance RDS(ON) 58mD1 Surface Mount Package ID 3.5AG2S2P-CH BVDSS -16VSOT-26 G1RDS(ON) 125mDescription ID -2.5AAdvanced Power MOSFETs utilized advanced processingtechniques to achieve the low
Другие MOSFET... AP2P052Y , AP3N028EY , AP6N090Y , AP2906EY , AP2626GY , AP2530GY , AP2530AGY , AP4C205Y , IRFZ46N , AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , AP2N050G .
History: AOK160A60FDL | SM4606 | IPB031NE7N3G | STN4822 | IRF630FP | VBFB1630
History: AOK160A60FDL | SM4606 | IPB031NE7N3G | STN4822 | IRF630FP | VBFB1630



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77