Справочник MOSFET. AP6N090G

 

AP6N090G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N090G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
 

 Аналог (замена) для AP6N090G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N090G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  ape
ap6n090g.pdfpdf_icon

AP6N090G

AP6N090GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

 7.1. Size:178K  ape
ap6n090k.pdfpdf_icon

AP6N090G

AP6N090KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID3 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 7.2. Size:210K  ape
ap6n090y.pdfpdf_icon

AP6N090G

AP6N090YHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement S BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mD Fast Switching Characteristic ID3 3.5AGD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-26 DDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achi

 7.3. Size:188K  ape
ap6n090n.pdfpdf_icon

AP6N090G

AP6N090NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 90m Surface Mount Device ID 2.5AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23S GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowes

Другие MOSFET... AP2622GY , AP6800EY , AP1332GEU , AP2N7002KU , AP1430GEU6 , AP2N1K2EN1 , AP5N2K2EN1 , AP2N050G , K2611 , AP9451GG , AP9452GG , AP9T16AGH , AP99T03GS , AP99T03GP , AP9992GR , AP9990GMT-L , AP9990GMT .

History: VBA1310S | AO3415A | 2SK2162 | BUK9M53-60E | AS2305 | TSM40N03PQ56

 

 
Back to Top

 


 
.