Справочник MOSFET. AP9990GMT

 

AP9990GMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9990GMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.005 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9990GMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  ape
 ap9990gmt.pdf pdf_icon

AP9990GMT

AP9990GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5m Low On-resistance ID 84AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAP9990 series are from Advanced Power innovated design and Dsilicon process technology to achieve the

 0.1. Size:95K  ape
 ap9990gmt-hf.pdf pdf_icon

AP9990GMT

AP9990GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5m Low On-resistance ID 84AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,

 0.2. Size:312K  ape
 ap9990gmt-l.pdf pdf_icon

AP9990GMT

AP9990GMT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 5m Low On-resistance ID5 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDDescriptionAP9990 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 7.1. Size:55K  ape
 ap9990gi-hf.pdf pdf_icon

AP9990GMT

AP9990GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 55AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9990 series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 4N60KG-TN3-R | APT50M60L2VR | SI7840BDP | 2SK1879 | GSM3484S | MTM8N60 | FDD2512

 

 
Back to Top

 


 
.