Справочник MOSFET. AP9410GH

 

AP9410GH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP9410GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 620 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP9410GH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP9410GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:229K  ape
 ap9410gh.pdf pdf_icon

AP9410GH

AP9410GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP9410 series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve the lowes

 0.1. Size:94K  ape
 ap9410gh-hf.pdf pdf_icon

AP9410GH

AP9410GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6m Fast Switching Characteristic ID 75AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theGDbest combination of fast switching, ruggedi

 7.1. Size:58K  ape
 ap9410gmt-hf.pdf pdf_icon

AP9410GH

AP9410GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 5.5m SO-8 Compatible ID 80AG Low On-resistanceS RoHS Compliant & Halogen-FreeDDDDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combina

 7.2. Size:96K  ape
 ap9410gm-hf.pdf pdf_icon

AP9410GH

AP9410GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Low On-resistance RDS(ON) 6mDD Fast Switching ID 18AGSSSSO-8DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Gruggedized device design, low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP9923GEO , AP9922GEO , AP97T07AGP , AP95T10AGP , AP95T07BGP , AP9579GJ , AP9467GH , AP9467AGH , BS170 , AP9410AGH , AP93T03AGH , AP8N8R0P , AP8N8R0MT , AP8N8R0J , AP8N8R0I , AP8N8R0H , AP8N4R2MT .

History: SSW65R080SFD3 | 2SK3413LS

 

 
Back to Top

 


 
.