AP8N8R0H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP8N8R0H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO252
AP8N8R0H Datasheet (PDF)
ap8n8r0h.pdf

AP8N8R0HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
ap8n8r0i.pdf

AP8N8R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 46AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig
ap8n8r0mt.pdf

AP8N8R0MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 80VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 8m Lower On-resistance ID 60AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP8N8R0 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest p
ap8n8r0p.pdf

AP8N8R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 80V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 60AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP8N8R0 seriesare fromAdvanced Power innovated desig
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: FRX130R1 | SIHFU420A | SSM3J338R | VBZFB20N06 | ME85P03-G | IXFT26N50
History: FRX130R1 | SIHFU420A | SSM3J338R | VBZFB20N06 | ME85P03-G | IXFT26N50



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
Popular searches
rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor | 2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281