Справочник MOSFET. IRFF9130

 

IRFF9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFF9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.8(max) nC
   trⓘ - Время нарастания: 140(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO39
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFF9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:133K  international rectifier
 2n6849 irff9130.pdf pdf_icon

IRFF9130

PD - 90550DIRFF9130 JANTX2N6849REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTXV2N6849HEXFETTRANSISTORS JANS2N6849THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/564100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9130 -100V 0.30 -6.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry an

 ..2. Size:682K  njs
 irff9130 irff9131 irff9132 irff9133.pdf pdf_icon

IRFF9130

 8.1. Size:132K  international rectifier
 irff9110.pdf pdf_icon

IRFF9130

PD - 90388REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATEDHEXFETTRANSISTORSTHRU-HOLE (TO-205AF) IRFF9110100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) ID IRFF9110 -100V 1.2 -2.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique processing of this latestState of the Art desi

 8.2. Size:130K  international rectifier
 2n6845 irff9120.pdf pdf_icon

IRFF9130

PD - 90552CIRFF9120REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6845HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6845THRU-HOLE (TO-205AF) REF:MIL-PRF-19500/563100V, P-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRFF9120 -100V 0.60 -4.0AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proce

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFF310 , IRFF320 , IRFF330 , IRFF420 , IRFF430 , IRFF9024 , IRFF9110 , IRFF9120 , IRF1407 , IRFF9210 , IRFF9220 , IRFF9230 , IRFI1010N , IRFI1310N , IRFI3205 , IRFI3710 , IRFI460 .

History: SVF18N50T | 10N60G-TF2-T

 

 
Back to Top

 


 
.