Справочник MOSFET. AP80WN2K5I

 

AP80WN2K5I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP80WN2K5I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP80WN2K5I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80WN2K5I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ape
 ap80wn2k5i.pdf pdf_icon

AP80WN2K5I

AP80WN2K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 800VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.5 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP80WN2K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

Другие MOSFET... AP8N4R2MT , AP8N3R5CMT , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , 10N60 , AP80SL990BJB , AP80SL990BI , AP80SL990BH , AP80SL650AI , AP80SL400DI , AP80SL400AS , AP80SL400AP , AP80SL400AI .

History: AP75T10GP | NCEP40P65QU | PM516BZ | P5015BD

 

 
Back to Top

 


 
.