AP80WN2K5I - описание и поиск аналогов

 

AP80WN2K5I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP80WN2K5I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP80WN2K5I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP80WN2K5I даташит

 ..1. Size:66K  ape
 ap80wn2k5i.pdf pdf_icon

AP80WN2K5I

AP80WN2K5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 800V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.5 Fast Switching Characteristic ID3 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP80WN2K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

Другие MOSFET... AP8N4R2MT , AP8N3R5CMT , AP8604CDT , AP8600S , AP8600P , AP8600MT-L , AP8600MT , AP85T10AGP , IRFP260N , AP80SL990BJB , AP80SL990BI , AP80SL990BH , AP80SL650AI , AP80SL400DI , AP80SL400AS , AP80SL400AP , AP80SL400AI .

History: SI2301AI-MS | 2SJ240

 

 

 

 

↑ Back to Top
.