AP70PN1R1I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP70PN1R1I
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 64 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для AP70PN1R1I
AP70PN1R1I Datasheet (PDF)
1.1. ap70pn1r1i.pdf 
Size:176K _a-power
AP70PN1R1I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ 100% Rg & UIS Test BVDSS 700V D ▼ Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.1Ω ▼ Simple Drive Requirement ID3 7A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP70PN1R1 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes
Другие MOSFET... AP70SL380AH , AP70SL250AS , AP70SL250AI , AP70SL1K4BJB , AP70SL1K4BH , AP70SL1K4AJB , AP70SL1K4AI , AP70SL1K4AH , IRF5305 , AP6P090J , AP6P090H , AP6P070S , AP6P070P , AP6P070I , AP6P070H , AP6P064JB , AP6P064J .
