Справочник MOSFET. AP70PN1R1I

 

AP70PN1R1I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP70PN1R1I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 64 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP70PN1R1I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP70PN1R1I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:176K  ape
 ap70pn1r1i.pdf pdf_icon

AP70PN1R1I

AP70PN1R1IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.1 Simple Drive Requirement ID3 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP70PN1R1 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowes

Другие MOSFET... AP70SL380AH , AP70SL250AS , AP70SL250AI , AP70SL1K4BJB , AP70SL1K4BH , AP70SL1K4AJB , AP70SL1K4AI , AP70SL1K4AH , IRLB4132 , AP6P090J , AP6P090H , AP6P070S , AP6P070P , AP6P070I , AP6P070H , AP6P064JB , AP6P064J .

History: LSB60R039GT

 

 
Back to Top

 


 
.