Справочник MOSFET. AP70PN1R1I

 

AP70PN1R1I MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: AP70PN1R1I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 34.7 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 13 ns

Выходная емкость (Cd): 64 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP70PN1R1I

 

 

AP70PN1R1I Datasheet (PDF)

1.1. ap70pn1r1i.pdf Size:176K _a-power

AP70PN1R1I
AP70PN1R1I

AP70PN1R1I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET ▼ 100% Rg & UIS Test BVDSS 700V D ▼ Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.1Ω ▼ Simple Drive Requirement ID3 7A G ▼ RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP70PN1R1 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

Другие MOSFET... AP70SL380AH , AP70SL250AS , AP70SL250AI , AP70SL1K4BJB , AP70SL1K4BH , AP70SL1K4AJB , AP70SL1K4AI , AP70SL1K4AH , IRF5305 , AP6P090J , AP6P090H , AP6P070S , AP6P070P , AP6P070I , AP6P070H , AP6P064JB , AP6P064J .

Back to Top

 


AP70PN1R1I
  AP70PN1R1I
  AP70PN1R1I
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: TMU8N60AZ | TMU8N50Z | TMU8N25Z | TMU830Z | TMU830AZ | TMU830 | TMU7N65Z | TMU7N65AZ | TMU7N60Z | TMU6N65G | TMU630Z | TMU5N60Z | TMU5N60AZ | TMU5N50G | TMU5N50 |
 


 

 

Back to Top