Справочник MOSFET. AP6N6R5I

 

AP6N6R5I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N6R5I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 52.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1370 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP6N6R5I

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N6R5I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  ape
 ap6n6r5i.pdf pdf_icon

AP6N6R5I

AP6N6R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 6.5m Fast Switching Characteristic ID 52.7AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N6R5 seriesare fromAdvanced Power innovated

 7.1. Size:163K  ape
 ap6n6r5lmt.pdf pdf_icon

AP6N6R5I

AP6N6R5LMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 60VD SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 6.5m Lower On-resistance ID 68AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP6N6R5L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

 7.2. Size:241K  ape
 ap6n6r5h.pdf pdf_icon

AP6N6R5I

AP6N6R5HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 6.5m Fast Switching Characteristic ID 68AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N6R5 seriesare fromAdvanced Power inno

 7.3. Size:203K  ape
 ap6n6r5p.pdf pdf_icon

AP6N6R5I

AP6N6R5PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 6.58m Fast Switching Characteristic ID 68AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N6R5 seriesare fromAdvanced Power innovated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP6P025P , AP6P025I , AP6P025H , AP6N8R2LMT , AP6N8R2ALH , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , IRFB31N20D , AP6N6R5H , AP6N4R2P , AP6N4R0I , AP6N3R8H , AP6N3R7MT-L , AP6N3R7MT , AP6N3R5S , AP6N3R5P .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.