Справочник MOSFET. AP6N4R2P

 

AP6N4R2P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N4R2P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP6N4R2P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N4R2P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:207K  ape
 ap6n4r2p.pdf pdf_icon

AP6N4R2P

AP6N4R2PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic ID 115AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N4R2 seriesare fromAdvanced Power innovated d

 8.1. Size:219K  ape
 ap6n4r0i.pdf pdf_icon

AP6N4R2P

AP6N4R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.99m Lower On-resistance ID4 70AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designan

Другие MOSFET... AP6P025H , AP6N8R2LMT , AP6N8R2ALH , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AON6380 , AP6N4R0I , AP6N3R8H , AP6N3R7MT-L , AP6N3R7MT , AP6N3R5S , AP6N3R5P , AP6N3R5LIN , AP6N3R5LI .

History: SIHFBC40LC | AFN1330S | IXTT74N20P | SPI20N65C3 | SLF12N65C | CEB09N7G | MDP12N50TH

 

 
Back to Top

 


 
.