AP6N4R2P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP6N4R2P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2250 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0042 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP6N4R2P
AP6N4R2P Datasheet (PDF)
ap6n4r2p.pdf

AP6N4R2PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.2m Fast Switching Characteristic ID 115AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N4R2 seriesare fromAdvanced Power innovated d
ap6n4r0i.pdf

AP6N4R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 3.99m Lower On-resistance ID4 70AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designan
Другие MOSFET... AP6P025H , AP6N8R2LMT , AP6N8R2ALH , AP6N6R5P , AP6N6R5LMT-L , AP6N6R5LMT , AP6N6R5I , AP6N6R5H , AON6380 , AP6N4R0I , AP6N3R8H , AP6N3R7MT-L , AP6N3R7MT , AP6N3R5S , AP6N3R5P , AP6N3R5LIN , AP6N3R5LI .
History: AP2304GN-HF | KO3409
History: AP2304GN-HF | KO3409



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor