AP6N2R0P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP6N2R0P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 255 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для AP6N2R0P
AP6N2R0P Datasheet (PDF)
ap6n2r0p.pdf

AP6N2R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2m Fast Switching Characteristic ID3 255AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de
ap6n2r0i.pdf

AP6N2R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID 110AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated d
ap6n2r0cdt.pdf

AP6N2R0CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2m Ultra Low On-resistance ID4 205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N2R0C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achiev
ap6n2k0en.pdf

AP6N2K0ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID3 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP6N2K0E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve th
Другие MOSFET... AP6N3R5LIN , AP6N3R5LI , AP6N3R5I , AP6N3R4CMT-L , AP6N3R4CMT , AP6N3R2P , AP6N3R1LH , AP6N3R0LMT , 8N60 , AP6N2R0I , AP6N2R0CDT , AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AP6N023H , AP6C036H .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mpsa56 transistor | transistor 2222a | 8050 transistor | bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent