Справочник MOSFET. AP6N2R0CDT

 

AP6N2R0CDT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N2R0CDT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N2R0CDT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  ape
ap6n2r0cdt.pdfpdf_icon

AP6N2R0CDT

AP6N2R0CDTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD 100% Rg & UIS Test RDS(ON) 2m Ultra Low On-resistance ID4 205AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescription PDFN 5x6D D D DAP6N2R0C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achiev

 7.1. Size:220K  ape
ap6n2r0i.pdfpdf_icon

AP6N2R0CDT

AP6N2R0IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.1m Fast Switching Characteristic ID 110AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated d

 7.2. Size:209K  ape
ap6n2r0p.pdfpdf_icon

AP6N2R0CDT

AP6N2R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 60V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2m Fast Switching Characteristic ID3 255AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP6N2R0 seriesare fromAdvanced Power innovated de

 9.1. Size:141K  ape
ap6n2k0en.pdfpdf_icon

AP6N2R0CDT

AP6N2K0ENHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Small Package Outline RDS(ON) 2 Surface Mount Device ID3 450mAS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23SGDDescriptionAP6N2K0E series are from Advanced Power innovated design and siliconGprocess technology to achieve th

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: HAT2210R | P0804BD

 

 
Back to Top

 


 
.