Справочник MOSFET. AP6N023H

 

AP6N023H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6N023H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP6N023H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6N023H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  ape
 ap6n023h.pdf pdf_icon

AP6N023H

AP6N023HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower Gate Charge RDS(ON) 23m Fast Switching Characteristic ID 25.4AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionGAP4604 seriesare from Advanced Power innovated designAP6N023series arefrom Advanced Power innovated

 8.1. Size:220K  ape
 ap6n021m.pdf pdf_icon

AP6N023H

AP6N021MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 60VDD Simple Drive Requirement D RDS(ON) 21mD Fast Switching Characteristic ID3 7.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8Description DAP6N021 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

 9.1. Size:178K  ape
 ap6n090k.pdf pdf_icon

AP6N023H

AP6N090KHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 60VD Lower Gate Charge RDS(ON) 90mS Fast Switching Characteristic ID3 4.1AD RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-223GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 9.2. Size:171K  ape
 ap6n090g.pdf pdf_icon

AP6N023H

AP6N090GHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS 60VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 90m Simple Drive Requirement ID 2.7AS RoHS Compliant & Halogen-FreeDSOT-89GDescription DAP6N090 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP6N3R0LMT , AP6N2R0P , AP6N2R0I , AP6N2R0CDT , AP6N1R7CDT , AP6N100JV , AP6N100J , AP6N100H , AO3407 , AP6C036H , AP6982GN2 , AP6980GN2 , AP6942GMT , AP6926GMT , AP6923GMT , AP6679BGP , AP65WN770P .

History: TSM3N90CI | DMP6185SEQ | MIC94030YM4TR

 

 
Back to Top

 


 
.