Справочник MOSFET. AP6679BGP

 

AP6679BGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP6679BGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 63 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP6679BGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ape
 ap6679bgp.pdf pdf_icon

AP6679BGP

AP6679BGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP6679B series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest

 0.1. Size:95K  ape
 ap6679bgp-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGP

AP6679BGP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -63AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,Grugg

 6.1. Size:95K  ape
 ap6679bgm-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGP

AP6679BGM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VDD Lower On-resistance D RDS(ON) 9mD Fast Switching Characteristic ID -13.5AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination o

 6.2. Size:95K  ape
 ap6679bgi-hf.pdf pdf_icon

AP6679BGP

AP6679BGI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 9m Fast Switching Characteristic ID -48AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggediz

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SI2302B | H7N1005LS | PJM3401PSA | MTB090N06N3 | SIHFBE20 | HGS210N12SL | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.