Справочник MOSFET. AP65SL600DI

 

AP65SL600DI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP65SL600DI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65SL600DI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:214K  ape
 ap65sl600di.pdf pdf_icon

AP65SL600DI

AP65SL600DIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600D series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 4.1. Size:237K  ape
 ap65sl600dh.pdf pdf_icon

AP65SL600DI

AP65SL600DHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID3 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600D series are from Advanced Power innovated design andGDsilicon process technology to achieve t

 5.1. Size:215K  ape
 ap65sl600ai.pdf pdf_icon

AP65SL600DI

AP65SL600AIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 5.2. Size:237K  ape
 ap65sl600ah.pdf pdf_icon

AP65SL600DI

AP65SL600AHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600A series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achie

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AO4617 | IPB023N04N | TK10A60D5 | IRF7503 | NP32N055SHE | HY050N08B | CEP06N7

 

 
Back to Top

 


 
.