Справочник MOSFET. AP65SL600AI

 

AP65SL600AI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP65SL600AI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65SL600AI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:215K  ape
ap65sl600ai.pdfpdf_icon

AP65SL600AI

AP65SL600AIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 0.1. Size:251K  ape
ap65sl600ain.pdfpdf_icon

AP65SL600AI

AP65SL600AINHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve

 4.1. Size:237K  ape
ap65sl600ah.pdfpdf_icon

AP65SL600AI

AP65SL600AHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600A series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achie

 4.2. Size:202K  ape
ap65sl600aj.pdfpdf_icon

AP65SL600AI

AP65SL600AJHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL600A series are from Advanced Power innovated design and GDSTO-251(J)silicon process tec

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTMD6N03R2 | FDMS0309AS

 

 
Back to Top

 


 
.