AP65SL099AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP65SL099AS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 277.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 45 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 114 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
Тип корпуса: TO263
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP65SL099AS Datasheet (PDF)
ap65sl099as.pdf

AP65SL099ASHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 99m Simple Drive Requirement ID3 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL099A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lo
ap65sl099awl.pdf

AP65SL099AWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 700VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 99m Simple Drive Requirement ID3 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL099A series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achie
ap65sl099dwl.pdf

AP65SL099DWLHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 99m Simple Drive Requirement ID3 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL099D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the l
ap65sl099dr.pdf

AP65SL099DRHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Low trr / Qrr RDS(ON) 99m Simple Drive Requirement ID3 38AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65SL099D series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the lowest possible on
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SSF2N60D2 | 2SK1429 | 2SJ222 | RSD100N10FRA | STF6N62K3 | IRFU210PBF | OSS60R190JF
History: SSF2N60D2 | 2SK1429 | 2SJ222 | RSD100N10FRA | STF6N62K3 | IRFU210PBF | OSS60R190JF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet