AP65PN2R5I. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP65PN2R5I

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для AP65PN2R5I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65PN2R5I даташит

 ..1. Size:213K  ape
 ap65pn2r5i.pdf pdf_icon

AP65PN2R5I

AP65PN2R5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 650V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.5 Fast Switching Characteristic ID3 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

 6.1. Size:212K  ape
 ap65pn2r6i.pdf pdf_icon

AP65PN2R5I

AP65PN2R6I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

 6.2. Size:91K  ape
 ap65pn2r6l.pdf pdf_icon

AP65PN2R5I

AP65PN2R6L Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

 6.3. Size:198K  ape
 ap65pn2r6h.pdf pdf_icon

AP65PN2R5I

AP65PN2R6H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP65SL099AWL, AP65SL099AS, AP65SL045AFWL, AP65SL041AWL, AP65PN2R6P, AP65PN2R6L, AP65PN2R6I, AP65PN2R6H, AO4407, AP65PN1R4P, AP60WN720IN, AP60WN720I, AP60WN650I, AP60WN4K9P, AP60WN4K9J, AP60WN4K9I, AP60WN4K9H