AP65PN1R4P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP65PN1R4P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для AP65PN1R4P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65PN1R4P даташит

 ..1. Size:160K  ape
 ap65pn1r4p.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN1R4P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.45 Simple Drive Requirement ID 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN1R4 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowes

 8.1. Size:212K  ape
 ap65pn2r6i.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN2R6I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

 8.2. Size:213K  ape
 ap65pn2r5i.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN2R5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 650V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.5 Fast Switching Characteristic ID3 4A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-re

 8.3. Size:91K  ape
 ap65pn2r6l.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN2R6L Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP65SL099AS, AP65SL045AFWL, AP65SL041AWL, AP65PN2R6P, AP65PN2R6L, AP65PN2R6I, AP65PN2R6H, AP65PN2R5I, BS170, AP60WN720IN, AP60WN720I, AP60WN650I, AP60WN4K9P, AP60WN4K9J, AP60WN4K9I, AP60WN4K9H, AP60WN4K5I