Справочник MOSFET. AP65PN1R4P

 

AP65PN1R4P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP65PN1R4P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.45 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP65PN1R4P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ape
 ap65pn1r4p.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN1R4PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 1.45 Simple Drive Requirement ID 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65PN1R4 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowes

 8.1. Size:212K  ape
 ap65pn2r6i.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN2R6IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the low

 8.2. Size:213K  ape
 ap65pn2r5i.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN2R5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 650VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.5 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65PN2R5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

 8.3. Size:91K  ape
 ap65pn2r6l.pdf pdf_icon

AP65PN1R4P

AP65PN2R6LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 2.6 Simple Drive Requirement ID3 3.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP65PN2R6 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDBL0200N100 | TK12Q60W | CPH3356 | SSF1109 | TMP12N60A | RU30E30L | LS166

 

 
Back to Top

 


 
.