Справочник MOSFET. AP60WN720I

 

AP60WN720I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN720I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN720I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:175K  ape
ap60wn720i.pdfpdf_icon

AP60WN720I

AP60WN720IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.72 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN720 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-

 0.1. Size:211K  ape
ap60wn720in.pdfpdf_icon

AP60WN720I

AP60WN720INHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.72 Fast Switching Characteristic ID3 10AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN720 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on

 8.1. Size:198K  ape
ap60wn4k9h.pdfpdf_icon

AP60WN720I

AP60WN4K9HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.9 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K9 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 8.2. Size:60K  ape
ap60wn4k5i.pdfpdf_icon

AP60WN720I

AP60WN4K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 4.5 Fast Switching Characteristic ID3 2AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN4K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-re

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SFF11N80M | BSC032N03SG | CS540A4 | BF964S | STT6602 | IPP023N10N5 | 6N65

 

 
Back to Top

 


 
.