AP60WN2K3H - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: AP60WN2K3H
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54.3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 35 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.37 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для AP60WN2K3H
AP60WN2K3H Datasheet (PDF)
ap60wn2k3h.pdf

AP60WN2K3HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.37 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN2K3 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible o
ap60wn2k3i.pdf

AP60WN2K3IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.37 Fast Switching Characteristic ID3 4AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN2K3 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r
ap60wn2k1h.pdf

AP60WN2K1HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN2K1 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible o
ap60wn2k1j.pdf

AP60WN2K1JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.07 Fast Switching Characteristic ID3 5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN2K1 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the
Другие MOSFET... AP60WN650I , AP60WN4K9P , AP60WN4K9J , AP60WN4K9I , AP60WN4K9H , AP60WN4K5I , AP60WN4K5H , AP60WN2K3I , IRF530 , AP60WN2K1J , AP60WN2K1I , AP60WN2K1H , AP60WN1K5J , AP60WN1K5I , AP60WN1K5H , AP60WN1K2J , AP60WN1K2IN .
History: GSM1034 | HSS3415E | ME4457-G
History: GSM1034 | HSS3415E | ME4457-G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618 | 2sc1328