Справочник MOSFET. AP60WN1K5I

 

AP60WN1K5I Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN1K5I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.55 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN1K5I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  ape
 ap60wn1k5i.pdf pdf_icon

AP60WN1K5I

AP60WN1K5IHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K5 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r

 5.1. Size:161K  ape
 ap60wn1k5j.pdf pdf_icon

AP60WN1K5I

AP60WN1K5JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN1K5 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the

 5.2. Size:196K  ape
 ap60wn1k5h.pdf pdf_icon

AP60WN1K5I

AP60WN1K5HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K5 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible o

 6.1. Size:59K  ape
 ap60wn1k2h.pdf pdf_icon

AP60WN1K5I

AP60WN1K2HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SM1F08NSFP | NTTFS4928N | IPD50R280CE | SM4833NSK | HGK110N20S | NDT6N70 | PJM10H03NSC

 

 
Back to Top

 


 
.