Справочник MOSFET. AP60WN1K2IN

 

AP60WN1K2IN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60WN1K2IN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F-NL
 

 Аналог (замена) для AP60WN1K2IN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60WN1K2IN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:211K  ape
 ap60wn1k2in.pdf pdf_icon

AP60WN1K2IN

AP60WN1K2INHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r

 5.1. Size:59K  ape
 ap60wn1k2h.pdf pdf_icon

AP60WN1K2IN

AP60WN1K2HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconGprocess technology to achieve the lowest possible on

 5.2. Size:59K  ape
 ap60wn1k2j.pdf pdf_icon

AP60WN1K2IN

AP60WN1K2JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.2 Fast Switching Characteristic ID3 8AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN1K2 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the l

 6.1. Size:161K  ape
 ap60wn1k5j.pdf pdf_icon

AP60WN1K2IN

AP60WN1K5JHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 600VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60WN1K5 series are from the innovated design and siliconDSTO-251(J)process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP60WN2K3H , AP60WN2K1J , AP60WN2K1I , AP60WN2K1H , AP60WN1K5J , AP60WN1K5I , AP60WN1K5H , AP60WN1K2J , IRF520 , AP60WN1K2H , AP60SL650AFI , AP60SL650AFH , AP60SL600DI , AP60SL600DH , AP60SL600AJ , AP60SL600AIN , AP60SL600AI .

History: AP2762R-A-HF | DM4N65E | SI4421DY | 2SK794 | 2SJ647 | VSE090N10MS | SI3407

 

 
Back to Top

 


 
.