Справочник MOSFET. AP60SL280DI

 

AP60SL280DI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP60SL280DI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP60SL280DI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  ape
ap60sl280di.pdfpdf_icon

AP60SL280DI

AP60SL280DIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.28 Simple Drive Requirement ID3,4 13.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL280D series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve t

 5.1. Size:178K  ape
ap60sl280ai.pdfpdf_icon

AP60SL280DI

AP60SL280AIHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Fast Switching Characteristic VDS @ Tj,max. 650VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.28 RoHS Compliant & Halogen-Free ID3,4 13.5AGSDescriptionAP60SL280A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possib

 5.2. Size:214K  ape
ap60sl280ain.pdfpdf_icon

AP60SL280DI

AP60SL280AINHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.28 Simple Drive Requirement ID3,4 13.5AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP60SL280A series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to

 8.1. Size:201K  ape
ap60sl600aj.pdfpdf_icon

AP60SL280DI

AP60SL600AJHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test VDS @ Tj,max. 650VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 0.6 Simple Drive Requirement ID3 7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP60SL600A series are from Advanced Power innovated design andDSTO-251(J)silicon process t

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.