AP5602P - аналоги и даташиты транзистора

 

AP5602P - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP5602P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для AP5602P

 

AP5602P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  ape
 ap5602p.pdf pdf_icon

AP5602P

AP5602P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 55V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series are from Advanced Power innovated design AP5602 series are from Advanced Power innovated des

 9.1. Size:187K  ape
 ap5600n.pdf pdf_icon

AP5602P

AP5600N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 50V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 160m Low Gate Charge ID 2.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D AP5600 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... AP60SL150AR , AP60SL150AP , AP60SL150AI , AP60SL115AI , AP60N2R5J , AP60N2R5IN , AP60AN750IN , AP60AN750I , IRFZ44N , AP55T10GR , AP55T10GP , AP55T10GI , AP55T10GH , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I , AP50WN650I .

 

 
Back to Top

 


 
.