Справочник MOSFET. AP5602P

 

AP5602P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP5602P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для AP5602P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5602P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  ape
 ap5602p.pdf pdf_icon

AP5602P

AP5602PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Simple Drive Requirement D BVDSS 55V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series are from Advanced Power innovated designAP5602 series are from Advanced Power innovated des

 9.1. Size:187K  ape
 ap5600n.pdf pdf_icon

AP5602P

AP5600NHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 50VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 160m Low Gate Charge ID 2.1AS RoHS Compliant & Halogen-FreeSOT-23 GDescription DAP5600 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... AP60SL150AR , AP60SL150AP , AP60SL150AI , AP60SL115AI , AP60N2R5J , AP60N2R5IN , AP60AN750IN , AP60AN750I , IRFZ44N , AP55T10GR , AP55T10GP , AP55T10GI , AP55T10GH , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I , AP50WN650I .

History: NTMFS4708NT1G | AFN1034 | DMN3010LSS | AP10P10GJ | 17P10L-TN3-R | DMP2035UFDF | SVS60R190L8AD4TR

 

 
Back to Top

 


 
.