AP5602P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP5602P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 187.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 125 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP5602P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP5602P даташит

 ..1. Size:231K  ape
 ap5602p.pdf pdf_icon

AP5602P

AP5602P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 55V Low On-resistance RDS(ON) 8m Fast Switching Characteristic ID 100A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series are from Advanced Power innovated design AP5602 series are from Advanced Power innovated des

 9.1. Size:187K  ape
 ap5600n.pdf pdf_icon

AP5602P

AP5600N Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 50V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 160m Low Gate Charge ID 2.1A S RoHS Compliant & Halogen-Free SOT-23 G Description D AP5600 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

Другие IGBT... AP60SL150AR, AP60SL150AP, AP60SL150AI, AP60SL115AI, AP60N2R5J, AP60N2R5IN, AP60AN750IN, AP60AN750I, IRFZ44N, AP55T10GR, AP55T10GP, AP55T10GI, AP55T10GH, AP55T06GI, AP50WN750P, AP50WN750I, AP50WN650I