AP55T10GI - аналоги и даташиты транзистора

 

AP55T10GI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP55T10GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP55T10GI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T10GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ape
 ap55t10gi.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristics ID 31.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP55T10 series are from Advanced Power inno

 0.1. Size:117K  ape
 ap55t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristics ID 31.7AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP55T10 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lo

 6.1. Size:58K  ape
 ap55t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

 6.2. Size:193K  ape
 ap55t10gh.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GH-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP55T10 series are from Advanced Power innovated design andDSTO-252(H)silicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP60SL115AI , AP60N2R5J , AP60N2R5IN , AP60AN750IN , AP60AN750I , AP5602P , AP55T10GR , AP55T10GP , 20N60 , AP55T10GH , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I , AP50WN650I , AP50WN520P , AP50WN520I , AP50WN270W .

 

 
Back to Top

 


 
.