AP55T10GI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP55T10GI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP55T10GI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T10GI даташит

 ..1. Size:162K  ape
 ap55t10gi.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristics ID 31.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP55T10 series are from Advanced Power inno

 0.1. Size:117K  ape
 ap55t10gi-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GI-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristics ID 31.7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP55T10 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

 6.1. Size:58K  ape
 ap55t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

 6.2. Size:193K  ape
 ap55t10gh.pdf pdf_icon

AP55T10GI

AP55T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP55T10 series are from Advanced Power innovated design and D S TO-252(H) silicon process technology

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP60SL115AI, AP60N2R5J, AP60N2R5IN, AP60AN750IN, AP60AN750I, AP5602P, AP55T10GR, AP55T10GP, IRF840, AP55T10GH, AP55T06GI, AP50WN750P, AP50WN750I, AP50WN650I, AP50WN520P, AP50WN520I, AP50WN270W