AP55T10GH - аналоги и даташиты транзистора

 

AP55T10GH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP55T10GH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для AP55T10GH

 

AP55T10GH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  ape
 ap55t10gh.pdf pdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP55T10 series are from Advanced Power innovated design and D S TO-252(H) silicon process technology

 ..2. Size:2205K  cn vbsemi
 ap55t10gh.pdf pdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GH www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nC APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless other

 0.1. Size:57K  ape
 ap55t10gh-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast

 6.1. Size:58K  ape
 ap55t10gp-hf.pdf pdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP60N2R5J , AP60N2R5IN , AP60AN750IN , AP60AN750I , AP5602P , AP55T10GR , AP55T10GP , AP55T10GI , 20N60 , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I , AP50WN650I , AP50WN520P , AP50WN520I , AP50WN270W , AP50WN270IN .

 

 
Back to Top

 


 
.