AP55T10GH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP55T10GH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 56 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP55T10GH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T10GH даташит

 ..1. Size:193K  ape
ap55t10gh.pdfpdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G AP55T10 series are from Advanced Power innovated design and D S TO-252(H) silicon process technology

 ..2. Size:2205K  cn vbsemi
ap55t10gh.pdfpdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GH www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0185 at VGS = 10 V 100 60 38 nC APPLICATIONS Primary Side Switch Isolated DC/DC Converter TO-252 D G S G D S Top View N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C, unless other

 0.1. Size:57K  ape
ap55t10gh-hf.pdfpdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D S TO-252(H) designer with the best combination of fast

 6.1. Size:58K  ape
ap55t10gp-hf.pdfpdf_icon

AP55T10GH

AP55T10GP-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedi

Другие IGBT... AP60N2R5J, AP60N2R5IN, AP60AN750IN, AP60AN750I, AP5602P, AP55T10GR, AP55T10GP, AP55T10GI, 20N60, AP55T06GI, AP50WN750P, AP50WN750I, AP50WN650I, AP50WN520P, AP50WN520I, AP50WN270W, AP50WN270IN