Справочник MOSFET. AP55T06GI

 

AP55T06GI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP55T06GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для AP55T06GI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T06GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ape
ap55t06gi.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T06GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 29AGSDescriptionAP55T06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achiev

 0.1. Size:59K  ape
ap55t06gi-hf.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T06GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 29AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design, low on-Gresist

 6.1. Size:118K  ape
ap55t06gs-hf.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T06GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 32.4AGSDescriptionAP55T06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-Gresistance and

 9.1. Size:58K  ape
ap55t10gp-hf.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

Другие MOSFET... AP60N2R5IN , AP60AN750IN , AP60AN750I , AP5602P , AP55T10GR , AP55T10GP , AP55T10GI , AP55T10GH , IRF540 , AP50WN750P , AP50WN750I , AP50WN650I , AP50WN520P , AP50WN520I , AP50WN270W , AP50WN270IN , AP50WN270I .

History: H6N70U | SPU07N60S5 | BLP08N10G-D | LND150N3 | SI8424CDB | SLU5N65S | SFF130

 

 
Back to Top

 


 
.