Справочник MOSFET. AP55T06GI

 

AP55T06GI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP55T06GI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP55T06GI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  ape
ap55t06gi.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T06GI-HFHalogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 29AGSDescriptionAP55T06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achiev

 0.1. Size:59K  ape
ap55t06gi-hf.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T06GI-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 29AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device design, low on-Gresist

 6.1. Size:118K  ape
ap55t06gs-hf.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T06GS-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 60V Lower On-resistance RDS(ON) 18m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 32.4AGSDescriptionAP55T06 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-Gresistance and

 9.1. Size:58K  ape
ap55t10gp-hf.pdfpdf_icon

AP55T06GI

AP55T10GP-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 100V Lower Gate Charge RDS(ON) 16.5m Fast Switching Characteristic ID 56AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of fast switching,ruggedi

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STF3NK80Z | LSG60R650HT | NCE70N290F | 2SK3796 | IRFY140M | MS65R600R | P2003BDG

 

 
Back to Top

 


 
.