AP50WN520I datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP50WN520I  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP50WN520I

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50WN520I даташит

 ..1. Size:60K  ape
 ap50wn520i.pdf pdf_icon

AP50WN520I

AP50WN520I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID3 12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN520 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 5.1. Size:60K  ape
 ap50wn520p.pdf pdf_icon

AP50WN520I

AP50WN520P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID3 12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN520 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 8.1. Size:176K  ape
 ap50wn1k5i.pdf pdf_icon

AP50WN520I

AP50WN1K5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 8.2. Size:60K  ape
 ap50wn650i.pdf pdf_icon

AP50WN520I

AP50WN650I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.65 Fast Switching Characteristic ID3 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN650 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP55T10GP, AP55T10GI, AP55T10GH, AP55T06GI, AP50WN750P, AP50WN750I, AP50WN650I, AP50WN520P, IRF640, AP50WN270W, AP50WN270IN, AP50WN270I, AP50WN1K5P, AP50WN1K5I, AP50WN1K5H, AP50WN1K0I, AP50WN1K0H