AP50WN520I - аналоги и даташиты транзистора

 

AP50WN520I - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP50WN520I
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.52 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для AP50WN520I

 

AP50WN520I Datasheet (PDF)

 ..1. Size:60K  ape
ap50wn520i.pdfpdf_icon

AP50WN520I

AP50WN520I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID3 12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN520 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 5.1. Size:60K  ape
ap50wn520p.pdfpdf_icon

AP50WN520I

AP50WN520P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.52 Fast Switching Characteristic ID3 12A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN520 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

 8.1. Size:176K  ape
ap50wn1k5i.pdfpdf_icon

AP50WN520I

AP50WN1K5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 8.2. Size:60K  ape
ap50wn650i.pdfpdf_icon

AP50WN520I

AP50WN650I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.65 Fast Switching Characteristic ID3 11A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN650 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest p

Другие MOSFET... AP55T10GP , AP55T10GI , AP55T10GH , AP55T06GI , AP50WN750P , AP50WN750I , AP50WN650I , AP50WN520P , IRF640 , AP50WN270W , AP50WN270IN , AP50WN270I , AP50WN1K5P , AP50WN1K5I , AP50WN1K5H , AP50WN1K0I , AP50WN1K0H .

 

 
Back to Top

 


 
.