AP50WN1K0H datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP50WN1K0H  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.03 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP50WN1K0H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50WN1K0H даташит

 ..1. Size:197K  ape
ap50wn1k0h.pdfpdf_icon

AP50WN1K0H

AP50WN1K0H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.03 Fast Switching Characteristic ID3 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K0 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible o

 5.1. Size:175K  ape
ap50wn1k0i.pdfpdf_icon

AP50WN1K0H

AP50WN1K0I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.03 Fast Switching Characteristic ID3 7A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K0 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 6.1. Size:176K  ape
ap50wn1k5i.pdfpdf_icon

AP50WN1K0H

AP50WN1K5I Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 6.2. Size:198K  ape
ap50wn1k5h.pdfpdf_icon

AP50WN1K0H

AP50WN1K5H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test BVDSS 500V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.55 Fast Switching Characteristic ID3 5A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50WN1K5 series are from the innovated design and silicon G process technology to achieve the lowest possible o

Другие IGBT... AP50WN520I, AP50WN270W, AP50WN270IN, AP50WN270I, AP50WN1K5P, AP50WN1K5I, AP50WN1K5H, AP50WN1K0I, IRF3710, AP50T10GS, AP50T10GP, AP50T10GJ, AP50T10GI, AP50T10GH, AP50T10AGI, AP50SL290DH, AP50PN520R