AP50SL290DH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP50SL290DH  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP50SL290DH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50SL290DH даташит

 ..1. Size:199K  ape
 ap50sl290dh.pdf pdf_icon

AP50SL290DH

AP50SL290DH Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500V D Low trr / Qrr RDS(ON) 0.29 Simple Drive Requirement ID3 13A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description AP50SL290D series are from Advanced Power innovated design and G silicon process technology to achieve the lowest possibl

Другие IGBT... AP50WN1K0I, AP50WN1K0H, AP50T10GS, AP50T10GP, AP50T10GJ, AP50T10GI, AP50T10GH, AP50T10AGI, 7N65, AP50PN520R, AP4P052J, AP4P052H, AP4P016P, AP4P016I, AP4P016H, AP4P013LES, AP4P013LEP