AP50SL290DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: AP50SL290DH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
Тип корпуса: TO3P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
AP50SL290DH Datasheet (PDF)
ap50sl290dh.pdf

AP50SL290DHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.29 Simple Drive Requirement ID3 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50SL290D series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the lowest possibl
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: P2003EEAA | AP6P090H | 4N80L-TA3-T | KHB1D9N60I | STP10N60M2 | APQ110SN5EA | STP40NF10L
History: P2003EEAA | AP6P090H | 4N80L-TA3-T | KHB1D9N60I | STP10N60M2 | APQ110SN5EA | STP40NF10L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet