Справочник MOSFET. AP50SL290DH

 

AP50SL290DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50SL290DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50SL290DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  ape
ap50sl290dh.pdfpdf_icon

AP50SL290DH

AP50SL290DHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.29 Simple Drive Requirement ID3 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50SL290D series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the lowest possibl

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: P2003EEAA | AP6P090H | 4N80L-TA3-T | KHB1D9N60I | STP10N60M2 | APQ110SN5EA | STP40NF10L

 

 
Back to Top

 


 
.