Справочник MOSFET. AP50SL290DH

 

AP50SL290DH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP50SL290DH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для AP50SL290DH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP50SL290DH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  ape
 ap50sl290dh.pdf pdf_icon

AP50SL290DH

AP50SL290DHHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 500VD Low trr / Qrr RDS(ON) 0.29 Simple Drive Requirement ID3 13AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionAP50SL290D series are from Advanced Power innovated design andGsilicon process technology to achieve the lowest possibl

Другие MOSFET... AP50WN1K0I , AP50WN1K0H , AP50T10GS , AP50T10GP , AP50T10GJ , AP50T10GI , AP50T10GH , AP50T10AGI , STP75NF75 , AP50PN520R , AP4P052J , AP4P052H , AP4P016P , AP4P016I , AP4P016H , AP4P013LES , AP4P013LEP .

History: 5N65G-TN3-R | AOI600A60 | NCE60N1K0R | IPB60R160C6 | SSM5N16FE | RJK03E0DNS

 

 
Back to Top

 


 
.