AP4N2R6P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4N2R6P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 720 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4N2R6P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4N2R6P даташит

 ..1. Size:111K  ape
 ap4n2r6p.pdf pdf_icon

AP4N2R6P

AP4N2R6P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 2.6m Fast Switching Characteristic G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP4N2R6 seriesare fromAdvanced Power innovated desi

 7.1. Size:162K  ape
 ap4n2r6amt.pdf pdf_icon

AP4N2R6P

AP4N2R6AMT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 40V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.6m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP4N2R6A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest

 7.2. Size:242K  ape
 ap4n2r6h.pdf pdf_icon

AP4N2R6P

AP4N2R6H Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Simple Drive Requirement D BVDSS 40V Ultra-low On-resistance RDS(ON) 2.6m Fast Switching Characteristic G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description G AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP4N2R6 seriesare fromAdvanced Power innovated d

 7.3. Size:163K  ape
 ap4n2r6mt.pdf pdf_icon

AP4N2R6P

AP4N2R6MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 40V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.6m Ultra Low On-resistance ID4 150A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP4N2R6 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4P013LEP, AP4P012LEH, AP4N4R2H, AP4N3R6P, AP4N3R6H, AP4N3R2MT, AP4N3R2I, AP4N2R6S, SKD502T, AP4N2R6MT, AP4N2R6J, AP4N2R6H, AP4N2R6AMT, AP4N1R8CMT-A, AP4N1R1CDT-A, AP4820AGYT, AP4804MT