AP4455GYT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4455GYT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4455GYT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4455GYT даташит

 ..1. Size:112K  ape
 ap4455gyt.pdf pdf_icon

AP4455GYT

AP4455GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -10.6A G D S D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching, ruggedized device de

 0.1. Size:59K  ape
 ap4455gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4455GYT

AP4455GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -10.6A G D S D Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching, ruggedized device de

 7.1. Size:49K  ape
 ap4455geh-hf.pdf pdf_icon

AP4455GYT

AP4455GEH-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D Lower On-resistance RDS(ON) 21m G Fast Switching Characteristic ID -35A RoHS Compliant & Halogen-Free S Description G Advanced Power MOSFETs from APEC provide

 7.2. Size:95K  ape
 ap4455gmt-hf.pdf pdf_icon

AP4455GYT

AP4455GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30V D SO-8 Compatible RDS(ON) 17.5m Lower Gate Charge ID -38.6A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the D best combination of fast switching, ruggedi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4608P, AP4606P, AP4604P, AP4604IN, AP4604I, AP4604AI, AP4563GH, AP4563AGH, 2SK3568, AP4453H, AP4453GYT, AP4438GYT, AP4409GEP, AP4036AGYT, AP4034GH, AP4028GEMT, AP4028EYT