Справочник MOSFET. AP4455GYT

 

AP4455GYT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: AP4455GYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3

 Аналог (замена) для AP4455GYT

 

 

AP4455GYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  ape
 ap4455gyt.pdf

AP4455GYT AP4455GYT

AP4455GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -10.6AGDSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device de

 0.1. Size:59K  ape
 ap4455gyt-hf.pdf

AP4455GYT AP4455GYT

AP4455GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 21m RoHS Compliant & Halogen-Free ID -10.6AGDSDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedized device de

 7.1. Size:49K  ape
 ap4455geh-hf.pdf

AP4455GYT AP4455GYT

AP4455GEH-HFHalogen-Free Product Advanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD Lower On-resistance RDS(ON) 21mG Fast Switching Characteristic ID -35A RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAdvanced Power MOSFETs from APEC provide

 7.2. Size:95K  ape
 ap4455gmt-hf.pdf

AP4455GYT AP4455GYT

AP4455GMT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS -30VD SO-8 Compatible RDS(ON) 17.5m Lower Gate Charge ID -38.6AG RoHS Compliant & Halogen-FreeS DDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching, ruggedi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top