AP4438GYT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AP4438GYT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: PMPAK3X3
AP4438GYT Datasheet (PDF)
ap4438gyt.pdf
AP4438GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.7AGSDDDescriptionDDAP4438 series are from Advanced Power innovated design and siliconprocess technology to achieve the lowest possible on-r
ap4438gyt-hf.pdf
AP4438GYT-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.7AGSDDDescriptionDDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with thebest combination of fast switching, ruggedized device desi
ap4438gsm-hf.pdf
AP4438GSM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30VDDD Good Recovery Time RDS(ON) 11.5mD Fast Switching Performance ID 11.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSO-8SDDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide theSchottky Diodedesigner with the best co
ap4438gm-hf.pdf
AP4438GM-HFHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30VDDD Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5mD Fast Switching Characteristic ID 11.8AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide thedesigner with the best combination of
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918