AP4438GYT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP4438GYT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP4438GYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3

 Аналог (замена) для AP4438GYT

 

AP4438GYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:116K  ape
ap4438gyt.pdfpdf_icon

AP4438GYT

AP4438GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.7A G S D D Description D D AP4438 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 0.1. Size:59K  ape
ap4438gyt-hf.pdfpdf_icon

AP4438GYT

AP4438GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.7A G S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 7.1. Size:59K  ape
ap4438gsm-hf.pdfpdf_icon

AP4438GYT

AP4438GSM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Good Recovery Time RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Performance ID 11.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky Diode designer with the best co

 7.2. Size:94K  ape
ap4438gm-hf.pdfpdf_icon

AP4438GYT

AP4438GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Characteristic ID 11.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

Другие MOSFET... AP4604IN , AP4604I , AP4604AI , AP4563GH , AP4563AGH , AP4455GYT , AP4453H , AP4453GYT , RFP50N06 , AP4409GEP , AP4036AGYT , AP4034GH , AP4028GEMT , AP4028EYT , AP4028EJB , AP4028EH , AP4024GEMT .

History: UT50N03 | ZVN4106FTA | SIA430DJ | PTF12N65 | ZVN3306FTA | ZVN3306FTC

 

 
Back to Top

 


 
.