AP4438GYT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP4438GYT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13.7 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: PMPAK3X3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP4438GYT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4438GYT даташит

 ..1. Size:116K  ape
 ap4438gyt.pdf pdf_icon

AP4438GYT

AP4438GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.7A G S D D Description D D AP4438 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-r

 0.1. Size:59K  ape
 ap4438gyt-hf.pdf pdf_icon

AP4438GYT

AP4438GYT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Lower Profile RDS(ON) 12m RoHS Compliant & Halogen-Free ID 13.7A G S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desi

 7.1. Size:59K  ape
 ap4438gsm-hf.pdf pdf_icon

AP4438GYT

AP4438GSM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKY Electronics Corp. DIODE Simple Drive Requirement BVDSS 30V D D D Good Recovery Time RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Performance ID 11.7A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S SO-8 S D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the Schottky Diode designer with the best co

 7.2. Size:94K  ape
 ap4438gm-hf.pdf pdf_icon

AP4438GYT

AP4438GM-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Lower Gate Charge BVDSS 30V D D D Simple Drive Requirement RDS(ON) 11.5m D Fast Switching Characteristic ID 11.8A G S RoHS Compliant & Halogen-Free S S SO-8 Description D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4604IN, AP4604I, AP4604AI, AP4563GH, AP4563AGH, AP4455GYT, AP4453H, AP4453GYT, RFP50N06, AP4409GEP, AP4036AGYT, AP4034GH, AP4028GEMT, AP4028EYT, AP4028EJB, AP4028EH, AP4024GEMT