Справочник MOSFET. AP3N1R7CYT

 

AP3N1R7CYT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N1R7CYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00188 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3.3X3.3
 

 Аналог (замена) для AP3N1R7CYT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N1R7CYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  ape
 ap3n1r7cyt.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R7CYTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VD Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 1.88m RoHS Compliant & Halogen-FreeGSDDDescriptionDDAP3N1R7C series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possible on-resi

 7.1. Size:163K  ape
 ap3n1r7mt.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R7MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.7m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3N1R7 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 8.1. Size:68K  1
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R8MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDDDescriptionDAP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achieve the

 8.2. Size:205K  ape
 ap3n1r8p.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R8PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Fast Switching Characteristic ID4 120AGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N1R8 seriesare fromAdvanced Power innovated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP4024GEMT , AP4024EYT , AP4024EJB , AP4024EH , AP3R604GMT-L , AP3R303GMT-L , AP3R303GMT , AP3P9R0I , NCEP15T14 , AP3P2R2CDT , AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.