AP3N1R7CYT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3N1R7CYT  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.12 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 710 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00188 Ohm

Тип корпуса: PDFN3.3X3.3

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3N1R7CYT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N1R7CYT даташит

 ..1. Size:63K  ape
 ap3n1r7cyt.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R7CYT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30V D Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 1.88m RoHS Compliant & Halogen-Free G S D D Description D D AP3N1R7C series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resi

 7.1. Size:163K  ape
 ap3n1r7mt.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R7MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.7m Ultra Low On-resistance G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3N1R7 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lowest po

 8.1. Size:68K  1
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R8MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the

 8.2. Size:205K  ape
 ap3n1r8p.pdf pdf_icon

AP3N1R7CYT

AP3N1R8P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Fast Switching Characteristic ID4 120A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP3N1R8 seriesare fromAdvanced Power innovated

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP4024GEMT, AP4024EYT, AP4024EJB, AP4024EH, AP3R604GMT-L, AP3R303GMT-L, AP3R303GMT, AP3P9R0I, IRF1405, AP3P2R2CDT, AP3NR68CDT, AP2604CDT, AP3P010YT, AP3N018EYT, AP3C030YT, AP3800YT, AP3700YT