Справочник MOSFET. AP2N3R7LYT

 

AP2N3R7LYT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP2N3R7LYT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.13 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.4 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 780 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0037 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK3X3
 

 Аналог (замена) для AP2N3R7LYT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP2N3R7LYT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  ape
 ap2n3r7lyt.pdf pdf_icon

AP2N3R7LYT

AP2N3R7LYTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Capable of 2.5V Gate Drive BVDSS 20VD Small Size & Ultra_Low RDS(ON) RDS(ON) 3.7m RoHS Compliant & Halogen-Free ID3 23.4AGDSDDDescriptionDAP2N3R7L series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest possi

Другие MOSFET... AP3NR68CDT , AP2604CDT , AP3P010YT , AP3N018EYT , AP3C030YT , AP3800YT , AP3700YT , AP2P9R0LYT , 2SK3918 , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT .

History: HM8N20 | 1N65L-TM3-T | HM60N05 | BSZ340N08NS3G | STF6NM60N | AM5430N | 2SK805

 

 
Back to Top

 


 
.