Справочник MOSFET. AP3P010AMT

 

AP3P010AMT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3P010AMT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3P010AMT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3P010AMT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ape
ap3p010amt.pdfpdf_icon

AP3P010AMT

AP3P010AMTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS -30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID -58A RoHS Compliant & Halogen-Free GSDDescriptionDDAP3P010A series are from Advanced Power innovated design andDsilicon process technology to achiev

 7.1. Size:137K  ape
ap3p010yt.pdfpdf_icon

AP3P010AMT

AP3P010YTHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge BVDSS -30VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10m Simple Drive Requirement ID -14.6A RoHS Compliant & Halogen-Free GSDDDescriptionDAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with theDbest combination of fast switching,

 7.2. Size:67K  ape
ap3p010h.pdfpdf_icon

AP3P010AMT

AP3P010HHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% UIS Test D BVDSS -30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Fast Switching Characteristic ID -58AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP3P010 series are from Advanced Power innovated design andDSsilicon process technology to achieve the lowes

 7.3. Size:186K  ape
ap3p010m.pdfpdf_icon

AP3P010AMT

AP3P010MHalogen-Free ProductAdvanced Power P-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Low Gate Charge D BVDSS -30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10m Simple Drive Requirement ID3 -13.3AG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionDDAP3P010 series are from Advanced Power innovated design and siliconDDprocess technology to achieve t

Другие MOSFET... AP2P9R0LYT , AP2N3R7LYT , AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , IRFP064N , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT .

History: LSB60R125HT | STT4660 | AP9467AGM | UTT25P10G-TQ2-T | IPD30N08S2L-21 | FDD6N20TF | CS5N65A4

 

 
Back to Top

 


 
.