AP3N7R2MT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3N7R2MT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3N7R2MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3N7R2MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N7R2MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ape
 ap3n7r2mt.pdf pdf_icon

AP3N7R2MT

AP3N7R2MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 7.2m Ultra Low On-resistance ID 47AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3N7R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , IRFZ44N , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT .

History: AP3P010AMT

 

 
Back to Top

 


 
.