AP3N7R2MT - описание и поиск аналогов

 

AP3N7R2MT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP3N7R2MT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 66 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0072 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP3N7R2MT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N7R2MT даташит

 ..1. Size:162K  ape
 ap3n7r2mt.pdf pdf_icon

AP3N7R2MT

AP3N7R2MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V D Simple Drive Requirement RDS(ON) 7.2m Ultra Low On-resistance ID 47A G RoHS Compliant & Halogen-Free D S D D Description D AP3N7R2 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the lo

Другие MOSFET... AP2609GYT , AP15TP1R0YT , AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , IRFZ44N , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.