AP3N2R8MT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3N2R8MT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3N2R8MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 68 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3N2R8MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N2R8MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  ape
 ap3n2r8mt.pdf pdf_icon

AP3N2R8MT

AP3N2R8MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL MOSFET WITH SCHOTTKYElectronics Corp. DIODED 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Ultra Low On-resistance ID4 105A RoHS Compliant & Halogen-FreeGDDDDescription SDAP3N2R8 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowe

 7.1. Size:167K  ape
 ap3n2r8p.pdf pdf_icon

AP3N2R8MT

AP3N2R8PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N2R8 seriesare fromAdvanced Power innovated designa

 7.2. Size:206K  ape
 ap3n2r8h.pdf pdf_icon

AP3N2R8MT

AP3N2R8HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSGDescriptionDSTO-252(H)AP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N2R8 seriesare fromAdvanced Power

 8.1. Size:163K  ape
 ap3n2r2mt.pdf pdf_icon

AP3N2R8MT

AP3N2R2MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.2m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3N2R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP10TN028YT , AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , IRF740 , AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , AP3D5R0MT , AP3C023AMT .

History: 2SJ546 | SGS35MA050D1 | NTD5865NLT4G | AP3601N | IRF152 | VB1240X | JMSH1008PC

 

 
Back to Top

 


 
.