AP3N2R4MT - аналоги и даташиты транзистора

 

AP3N2R4MT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: AP3N2R4MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0024 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 

 Аналог (замена) для AP3N2R4MT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N2R4MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  ape
 ap3n2r4mt.pdf pdf_icon

AP3N2R4MT

AP3N2R4MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.4m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3N2R4 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 8.1. Size:167K  ape
 ap3n2r8p.pdf pdf_icon

AP3N2R4MT

AP3N2R8PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.8m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N2R8 seriesare fromAdvanced Power innovated designa

 8.2. Size:163K  ape
 ap3n2r2mt.pdf pdf_icon

AP3N2R4MT

AP3N2R2MTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.2m Ultra Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP3N2R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest po

 8.3. Size:78K  ape
 ap3n2r2mt-l.pdf pdf_icon

AP3N2R4MT

AP3N2R2MT-LHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 30VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 2.2m Ultra Low On-resistanceDG RoHS Compliant & Halogen-FreeDDSDDescriptionAP3N2R2 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to achieve the lowest

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP0903GYT , AP3P7R0EMT , AP3P3R0MT , AP3P010AMT , AP3NR85CMT , AP3N7R2MT , AP3N3R3MT , AP3N2R8MT , IRF840 , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , AP3D5R0MT , AP3C023AMT , AP3A010MT .

History: 2SJ170 | STD2NK70Z | 2SK2823 | RU20C10H | STD2HNK60Z | SWX170R15ET | SW2N65

 

 
Back to Top

 


 
.