Справочник MOSFET. IRFI640A

 

IRFI640A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFI640A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFI640A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:212K  1
 irfi640a irfw640a.pdf pdf_icon

IRFI640A

 7.1. Size:1146K  international rectifier
 irfi640gpbf.pdf pdf_icon

IRFI640A

PD- 95420IRFI640GPbF Lead-Free06/16/04Document Number: 91150 www.vishay.com1IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com2IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com3IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com4IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com5IRFI640GPbFDocument Number: 91150 www.vishay.com6IRFI640GPbFDocument Num

 7.2. Size:172K  international rectifier
 irfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640A

 7.3. Size:1799K  vishay
 irfi640g sihfi640g.pdf pdf_icon

IRFI640A

IRFI640G, SiHFI640GVishay Siliconix Power MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 200 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.18f = 60 Hz)RoHS* Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 70COMPLIANT Dynamic dV/dt RatingQgs (nC) 13 Low Thermal ResistanceQgd (nC) 39 Lead (Pb)-fr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFI620A , IRFI620G , IRFI624A , IRFI624G , IRFI630A , IRFI630G , IRFI634A , IRFI634G , IRF9540N , IRFI640G , IRFI644A , IRFI644G , IRFI710A , IRFI720A , IRFI720G , IRFI730A , IRFI730G .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.