Справочник MOSFET. AP3A010MT

 

AP3A010MT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3A010MT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.57 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: PMPAK5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3A010MT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:66K  ape
 ap3a010mt.pdf pdf_icon

AP3A010MT

AP3A010MTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-FreeD1D1D2DescriptionD2S1 G1 S2 G2AP3A010 series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technology to achieve the

 7.1. Size:179K  ape
 ap3a010am.pdf pdf_icon

AP3A010MT

AP3A010AMHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 10.4mD1 Fast Switching Performance ID 10.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP3A010A series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon

 7.2. Size:140K  ape
 ap3a010amt.pdf pdf_icon

AP3A010MT

AP3A010AMTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.4m RoHS Compliant & Halogen-FreeD1D1D2DescriptionD2S1 G1 S2 G2AP3A010A series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technology to achieve th

 9.1. Size:143K  ape
 ap3a020y.pdf pdf_icon

AP3A010MT

AP3A020YHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VD2 Low Gate Charge RDS(ON) 20mD1D1G2 Fast Switching Performance ID3 6.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S12928-8DescriptionAP3A020 series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon pro

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3N2R4MT , AP3N2R2MT , AP3N1R8MT-L , AP3N1R8MT , AP3N1R7MT , AP3N1R0MT , AP3D5R0MT , AP3C023AMT , IRF1404 , AP3A010AMT , AP3700MT , AP2C016LMT , AP2606CMT , AP2602MT , AP1A003GMT , AP10TN5R5MT , AP10TN5R5LMT .

 

 
Back to Top

 


 
.