AP0504GMT - описание и поиск аналогов

 

AP0504GMT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP0504GMT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: PMPAK5X6

Аналог (замена) для AP0504GMT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP0504GMT даташит

 ..1. Size:142K  ape
ap0504gmt.pdfpdf_icon

AP0504GMT

AP0504GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D Description D AP0504 series are from Advanced Power inno

 ..2. Size:959K  cn vbsemi
ap0504gmt.pdfpdf_icon

AP0504GMT

AP0504GMT www.VBsemi.tw N-Channel 40 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS Tested 0.0050 at VGS = 10 V 70 APPLICATIONS 40 67 nC 0.0060 at VGS = 4.5 V 65 Notebook PC Core VRM/POL D DFN5X6 Top View Top View Bottom View 1 8 2 7 3 6 G 4 5 PIN1 S N-Channel MOSFET A

 0.1. Size:94K  ape
ap0504gmt-hf.pdfpdf_icon

AP0504GMT

AP0504GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 40V SO-8 Compatible with Heatsink RDS(ON) 5.5m Low On-resistance ID 75A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switchin

 7.1. Size:93K  ape
ap0504gh-hf.pdfpdf_icon

AP0504GMT

AP0504GH-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Low On-resistance D BVDSS 40V Simple Drive Requirement RDS(ON) 6.3m Fast Switching Characteristic ID 66A G RoHS Compliant & Halogen-Free S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the G D designer with the best combination of fast switching,

Другие MOSFET... AP10TN012LMT , AP10TN010CMT , AP10TN008CMT , AP10TN004LCMT , AP10TN004CMT , AP10N012MT , AP0904GMT , AP0704GMT , AON7408 , AP0203GMT , AP3N2R2MT-L , AP10TN008CMT-L , AP0203GMT-L , AP3P7R0EP , AP3N4R0P , AP3N2R8P , AP3N1R8P .

History: G18N20K | 2SK2551 | XP161A1265PR-G | SMNY2Z30

 

 

 

 

↑ Back to Top
.