AP3N1R8P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AP3N1R8P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для AP3N1R8P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N1R8P даташит

 ..1. Size:205K  ape
 ap3n1r8p.pdf pdf_icon

AP3N1R8P

AP3N1R8P Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.8m Fast Switching Characteristic ID4 120A G G RoHS Compliant & Halogen-Free S S Description AP4604 series arefrom Advanced Power innovated design AP3N1R8 seriesare fromAdvanced Power innovated

 7.1. Size:68K  1
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N1R8P

AP3N1R8MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the

 7.2. Size:163K  ape
 ap3n1r8mt.pdf pdf_icon

AP3N1R8P

AP3N1R8MT Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and D silicon process technology to achieve the

 7.3. Size:319K  ape
 ap3n1r8mt-l.pdf pdf_icon

AP3N1R8P

AP3N1R8MT-L Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 1.89m Ultra Low On-resistance ID4 165A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D D Description D AP3N1R8 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... AP0504GMT, AP0203GMT, AP3N2R2MT-L, AP10TN008CMT-L, AP0203GMT-L, AP3P7R0EP, AP3N4R0P, AP3N2R8P, 2SK3568, AP3N020P, AP3P7R0EI, AP3N4R0J, AP3P7R0EJB, AP3P7R0EH, AP3P050H, AP3P010H, AP3N4R5H