Справочник MOSFET. AP3N4R5H

 

AP3N4R5H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3N4R5H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для AP3N4R5H

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3N4R5H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:203K  ape
 ap3n4r5h.pdf pdf_icon

AP3N4R5H

AP3N4R5HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test BVDSS 30V Integrated SKY Diode RDS(ON) 4.5m Low On-resistanceG RoHS Compliant & Halogen-FreeSDescriptionGAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R5 seriesare fromAdvanced Power innovated design andDSTO-252(H)a

 7.1. Size:220K  ape
 ap3n4r5m.pdf pdf_icon

AP3N4R5H

AP3N4R5MHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement BVDSS 30VDD Integrated SKY Diode D RDS(ON) 4.5mD Surface Mount Device ID3 18.7AGS RoHS Compliant & Halogen-FreeSSSO-8DDescriptionAP3N4R5 series are from Advanced Power innovated design andsilicon process technology to ac

 8.1. Size:204K  ape
 ap3n4r0p.pdf pdf_icon

AP3N4R5H

AP3N4R0PHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designand

 8.2. Size:243K  ape
 ap3n4r0h.pdf pdf_icon

AP3N4R5H

AP3N4R0HHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD 100% Rg & UIS Test D BVDSS 30V Simple Drive Requirement RDS(ON) 4m Fast Switching CharacteristicGG RoHS Compliant & Halogen-FreeSSDescriptionAP4604 series arefrom Advanced Power innovated designAP3N4R0 seriesare fromAdvanced Power innovated designG

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3N1R8P , AP3N020P , AP3P7R0EI , AP3N4R0J , AP3P7R0EJB , AP3P7R0EH , AP3P050H , AP3P010H , 4N60 , AP3N4R0H , AP3N2R8H , AP3P7R0ES , AP3P6R0S , AP3N4R0S , AP3C010H , AP3A020Y , AP3990S .

History: 2SK3130 | SSM3K104TU | IXTT52N30P | RJK03F9DNS | HGA053N06SL | 2SK3312 | IXTT30N50L

 

 
Back to Top

 


 
.