AP3A020Y. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: AP3A020Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
Тип корпуса: 2928-8
Аналог (замена) для AP3A020Y
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
AP3A020Y даташит
ap3a020y.pdf
AP3A020Y Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 Low Gate Charge RDS(ON) 20m D1 D1 G2 Fast Switching Performance ID3 6.5A S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 2928-8 Description AP3A020 series are from Advanced Power innovated design D2 D1 and silicon pro
ap3a010am.pdf
AP3A010AM Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V D2 D1 Low On-resistance RDS(ON) 10.4m D1 Fast Switching Performance ID 10.8A G2 S2 RoHS Compliant & Halogen-Free G1 S1 SO-8 Description AP3A010A series are from Advanced Power innovated design D2 D1 and silicon
ap3a010mt.pdf
AP3A010MT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D1 D2 Description D2 S1 G1 S2 G2 AP3A010 series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve the
ap3a010amt.pdf
AP3A010AMT Halogen-Free Product Advanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFET D1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.4m RoHS Compliant & Halogen-Free D1 D1 D2 Description D2 S1 G1 S2 G2 AP3A010A series are from Advanced Power innovated design and silicon process technology to achieve th
Другие MOSFET... AP3P010H , AP3N4R5H , AP3N4R0H , AP3N2R8H , AP3P7R0ES , AP3P6R0S , AP3N4R0S , AP3C010H , NCEP15T14 , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , AP2N050H , AP2910EC4 .
History: JMSH1008PK | SFU9214
History: JMSH1008PK | SFU9214
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c5149 datasheet | m1830m mosfet | pkch2bb mosfet | 2024ont | 2n1306 transistor | 2sa750 datasheet | 2sa940 transistor datasheet | 2sb549




