Справочник MOSFET. AP3A020Y

 

AP3A020Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: AP3A020Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: 2928-8
 

 Аналог (замена) для AP3A020Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP3A020Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:143K  ape
 ap3a020y.pdf pdf_icon

AP3A020Y

AP3A020YHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VD2 Low Gate Charge RDS(ON) 20mD1D1G2 Fast Switching Performance ID3 6.5AS2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S12928-8DescriptionAP3A020 series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon pro

 9.1. Size:179K  ape
 ap3a010am.pdf pdf_icon

AP3A020Y

AP3A010AMHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT Electronics Corp. MODE POWER MOSFETD2 Simple Drive Requirement BVDSS 30VD2D1 Low On-resistance RDS(ON) 10.4mD1 Fast Switching Performance ID 10.8AG2S2 RoHS Compliant & Halogen-FreeG1S1SO-8DescriptionAP3A010A series are from Advanced Power innovated designD2D1and silicon

 9.2. Size:66K  ape
 ap3a010mt.pdf pdf_icon

AP3A020Y

AP3A010MTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.5m RoHS Compliant & Halogen-FreeD1D1D2DescriptionD2S1 G1 S2 G2AP3A010 series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technology to achieve the

 9.3. Size:140K  ape
 ap3a010amt.pdf pdf_icon

AP3A020Y

AP3A010AMTHalogen-Free ProductAdvanced Power DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENTElectronics Corp. MODE POWER MOSFETD1 D1 D2 D2 Simple Drive Requirement BVDSS 30V Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10.4m RoHS Compliant & Halogen-FreeD1D1D2DescriptionD2S1 G1 S2 G2AP3A010A series are from Advanced Power innovateddesign and silicon process technology to achieve th

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP3P010H , AP3N4R5H , AP3N4R0H , AP3N2R8H , AP3P7R0ES , AP3P6R0S , AP3N4R0S , AP3C010H , IRFP450 , AP3990S , AP3700Y , AP30T10GS , AP30T10GI , AP30T10GH , AP30P10GH , AP2N050H , AP2910EC4 .

History: AP80SL650AI | 2SK3604-01S

 

 
Back to Top

 


 
.